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高溫四探針測試儀測試電阻率的原理和方法

日期:2019-01-02瀏覽:4738次

高溫四探針測試儀測試電阻率的原理和方法

高溫四探針測試儀可以實(shí)現(xiàn)高溫、真空及惰性氣氛條件下測量硅、鍺單晶(棒料、晶片)電阻率和外延層、擴(kuò)散層和離子注入層的方塊電阻以及測量導(dǎo)電玻璃(ITO)和其他導(dǎo)電薄膜的方塊電阻。

 

 

高溫四探針測試儀的測量原理

  1. 測量電阻率的方法很多,如三探針法、電容-電壓法、擴(kuò)展電阻法等,四探針法則是一種廣泛采用的標(biāo)準(zhǔn)方法,高溫四探針測試儀采用經(jīng)典直排四探針原理,同時(shí)采用了雙電測組合四探針法。
  2. 經(jīng)典的直排四探針法測試電阻率,要求使用等間距的探針,如果針間距離不等或探針有游移,就會造成實(shí)驗(yàn)誤差。當(dāng)被測片較小或在大片邊緣附近測量時(shí),要求計(jì)入電場畸變的影響進(jìn)行邊界修正。
  3. 采用雙電測組合四探針的出現(xiàn),為提高薄膜電阻和體電阻率測量度創(chuàng)造了有利條件。

高溫四探針測試儀采用雙電測組合四探針法的優(yōu)勢

  1. 采用雙電測組合四探針法進(jìn)行測試,測試結(jié)果與探針間距無關(guān),能夠消除間距不等及針尖機(jī)械游移變化的影響,因此四探針測試臺允許使用不等距探針頭。
  2. 采用雙電測組合四探針法具有自動修正邊界效應(yīng)的功能,對小尺寸被側(cè)片或探針在較大樣品邊緣附近時(shí),不需要對樣品做幾何測量,也不需要尋找修正因子。
  3. 采用雙電測組合四探針法,不移動四探針針頭,同時(shí)使用三種模式測量,既可計(jì)算得到測試部位的電阻均勻性。

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