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華測(cè)儀器助力耐電痕無(wú)鹵阻燃測(cè)試

日期:2024-07-09瀏覽:775次

半導(dǎo)體電子環(huán)氧塑封料(EMC)的耐電痕無(wú)鹵阻燃測(cè)試

目前硅基半導(dǎo)體芯片所使用的封裝材料主要是環(huán)氧塑封料(EMC),對(duì)其電學(xué)性能的測(cè)試除了高低溫介電溫譜(介電常數(shù))、常溫高溫電場(chǎng)強(qiáng)度(電擊穿)及常溫高溫絕緣電阻(體積電阻率)測(cè)試以外,耐電痕無(wú)鹵阻燃也是非常重要的電學(xué)性能指標(biāo)之一。

電痕是指電應(yīng)力和電解雜質(zhì)在相互作用下會(huì)在材料的表面(或內(nèi)部)產(chǎn)生導(dǎo)電通道。耐局部放電特性和耐電痕絕緣設(shè)計(jì)對(duì)EMC來(lái)說(shuō)十分重要,因?yàn)楫?dāng)EMC內(nèi)部出現(xiàn)未填充區(qū)域或空隙時(shí),不僅會(huì)導(dǎo)致其絕緣強(qiáng)度下降,還會(huì)因?yàn)榭障吨须姾傻募卸a(chǎn)生局部放電,導(dǎo)致EMC性能劣化并對(duì)芯片產(chǎn)生破壞。衡量EMC耐電痕特性的指標(biāo)是相比電痕化指數(shù)(CTI),按照絕緣材料的CTI指標(biāo)范圍可將其分為5類(lèi),只有CTI600VEMC才可應(yīng)用于功率電子器件的封裝。當(dāng)然,無(wú)論是功率電子器件還是常規(guī)半導(dǎo)體器件,EMC的無(wú)鹵阻燃特性是不變的。

北京華測(cè)試驗(yàn)儀器有限公司所生產(chǎn)的HCDH-2耐漏電起痕試驗(yàn)儀被廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體、新能源、家用電器等行業(yè),符合GB/T4207、IEC60112、IEC60335、UL746A等標(biāo)準(zhǔn)。一體化機(jī)身設(shè)計(jì),采用10寸觸控屏控制,智能程度高,可實(shí)現(xiàn)試驗(yàn)過(guò)程的無(wú)人化操作;鉑金電極和全向可調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)配合精準(zhǔn)的試驗(yàn)電壓電流(±1%)使得試驗(yàn)數(shù)據(jù)更加準(zhǔn)確。


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